第四章 ：三天之约！（2/2）

看到李暉，韩靖笑著打了个招呼。

和赵知许不同的是，李暉身上有著传统理工科学者的气质，相对沉默寡言，对实验与研究固执，爭论靠数据，最高评价是符合逻辑、可行等等词汇。

两人之间的关係也走得更加的亲近一些。

李暉也没有犹豫，径直开口道：“关於你在上午会议室中所说的解决kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题的方案研究，我想参与！”

闻言，韩靖有些讶异地开口道：“解决方案我不是都已经在会议上说了，你可以直接在实验室里面做啊。”

“啊？”

李暉愣了一下，摸了摸脑袋开口道：“这是你提出来的解决方案，我怎么能做实验呢，这不太好吧。”

在他看来，这是韩靖的解决方案，而且还在会议室上那么详细的讲解了，说明这已经是属於他的智慧財產权了。

他不问自取，这算是盗窃別人的东西。

韩靖也愣了一下，旋即笑著道：“所以你就在这里等著？”

李暉点了点头，道：“嗯，你不是和校领导那边立下了三天的军令状吗？”

“这三天肯定要做实验的，所以我就问了问周主任，然后来这边想问问你还缺不缺人，我可以参与。”

闻言，韩靖笑著点点头，道：“行，那李哥你来吧，多一个人，我们也多一份把握。”

说著，他取出钥匙打开了四號实验室的大门，接著补充道：“我们先整理实验器材，核对所有设备参数、材料等东西，下午就开始动手。”

“ok！”

“没问题。”

....

不到一个小时，准备工作就基本就绪。李暉拿著韩靖標註的参数清单，反覆看了几遍，眉头渐渐皱了起来，脸上露出了疑惑的神色。

他犹豫了片刻，还是拿著清单快步走到韩靖身边，语气带著几分不確定地询问道。

“韩靖，你这参数设置，是不是有点问题？”

韩靖正低头调试笔记本电脑上的实验数据，闻言抬起头：“怎么了，李哥？哪里有问题？”

李暉指著清单上的一行字，语气凝重：“你看，这个pai环节的离子注入剂量，是不是太高了？”

“按照常规工艺，这个剂量已经超出了安全范围，离子注入太多，会严重损伤晶圆表面的晶格结构。”

“到时候別说解决掺杂浓度偏移的问题，连晶片基底都会被损坏，前期的所有努力就都白费了。”

一旁，童淮听到这话，也凑了过来，看著清单上的参数，脸色也微微一变。

“是啊，师弟，李哥说得对，这个剂量確实太高了，导师之前也试过类似的剂量，最后晶圆直接报废了。”

听到这话，韩靖却丝毫不慌，接过参数清单，指著重难点，耐心解释道：“放心吧，这个剂量看似偏高，但其实是合理的。”

“我们会先引入氮化界面层，这种界面层能有效抑制硼穿透效应，刚好可以抵消高剂量离子注入带来的损伤。”

“这不仅不会损坏晶圆基底，还能精准控制掺杂深度，让沟道掺杂浓度达到平衡——这也是解决这个难题的核心关键。”

停顿了一下，他补充了一句，算是给出了个解释。

“导师以前的失败，理论上来说就是因为没有提前控制这些变量而导致的。”

“而这份方案也是在以前的实验数据上做出来的优化的，不会错的！”

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